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以下是 HBM 相关的文章

2025-11-16
存储芯片严重缺货涨价：DRAM厂商也不敢增产！风险太大了近期，受AI市场强劲需求推动，HBM和传统DRAM芯片价格大幅上涨，但全球主要DRAM制造商对大规模扩产表现得异常谨慎。厂商担心AI泡沫破裂的风险，不愿投入数百亿美元新建产能。因此，他们正优先改造现有PC DRAM生产线以满足HBM需求，但这导致PC内存的供应进一步收紧。分析指出，由于三星和SK海力士的谨慎扩产以及美光新厂的延迟投产，预计2026年PC内存市场仍将面临显著短缺。
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2025-11-16
价格混乱，多款新品推迟发布：专家预测内存涨价恐持续十年！近期，受AI基础设施建设对内存需求的巨大推动，内存和硬盘价格出现显著上涨。制造商已决定将多款新内存套装的发布时间从2025年下半年推迟至2026年，以观察市场影响。海盗船、十铨等品牌的热门产品价格已大幅攀升。专家分析认为，如果当前的供需格局持续，内存价格的暴涨趋势可能持续长达十年。存储制造商正优先将DRAM产能转向AI所需的高带宽内存（HBM），这将进一步加剧NAND闪存等通用存储设备的短缺风险，并已开始影响到智能手机等消费电子产品的价格。
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2025-11-08
月产10→16万片晶圆：黄仁勋亲赴洽谈，台积电3纳米产能将为英伟达激增约50% 英伟达为应对下一代“Rubin”AI芯片的爆炸性需求，正积极推动主要代工厂台积电大幅提升3纳米工艺产能。据报道，英伟达CEO黄仁勋亲自到访台积电，就产能分配进行深入谈判。为满足需求，台积电计划将其3纳米月产能从目前的10万片晶圆增加至16万片，增幅高达50%，其中很大一部分将专门供应给英伟达。此举彰显了英伟达对其“Rubin”系列AI芯片的巨大市场信心，该系列芯片将采用更先进的N3P工艺和HBM4内存技术，有望推升AI算力的全新标准，同时也将是驱动台积电未来营收增长的核心动力。
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2025-11-06
英伟达的“数据中心时刻”：如何塑造AI计算的未来本文深度解析了英伟达（Nvidia）在数据中心领域的战略地位及其对AI计算未来的深远影响。文章探讨了其GPU主导地位的巩固、新架构的推出以及如何通过构建端到端的计算平台，巩固其在人工智能基础设施中的核心角色。
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2025-11-03
AI抢占内存产能，普通消费者升级电脑将面临高额成本人工智能（AI）的爆发式增长正在引发新一轮的硬件短缺危机，这次受影响的是DRAM内存市场。由于AI领域对内存的巨大需求，全球主要DRAM制造商已暂停DDR5内存的合约定价，并转向利润更高的DDR5和HBM产品，导致消费级DDR5现货价格在一个月内几乎翻倍，已攀升至15.50美元。预计这种供应瓶颈和价格上涨趋势将持续到2026年第一季度，意味着普通消费者在近期升级电脑时，将不得不为内存支付更高的溢价，或面临供应紧张的局面。
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2025-11-02
疯狂！内存和硬盘价格将持续上涨至2026年，厂家：不问价格，有货就收存储器IC设计厂商慧荣科技总经理苟嘉章指出，受AI浪潮的推动，当前内存和存储元件市场正面临极度供不应求的局面，价格谈判已几乎停摆，进入“有货就好”的阶段。HBM、DRAM和NAND闪存同时紧缺，预计这种高压态势将持续到2026年。AI需求的爆发性增长正深刻影响消费电子产品规格，例如部分地区手机存储容量出现降配趋势。业内人士认为，AI短期内不会形成泡沫，其需求强度将继续驱动存储市场发展。
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2025-11-01
英伟达与三星就HBM达成协议，预计将为三星提供其AI芯片所需的所有HBM内存英伟达与三星电子已达成一项重大协议，预计英伟达将从三星采购其下一代AI芯片所需的所有高带宽内存（HBM）。这一合作标志着全球两大科技巨头在AI基础设施领域的深度绑定。尽管英伟达此前已依赖SK海力士，但此次与三星的合作将重塑HBM市场的供应格局。三星此次将为英伟达提供HBM3E及后续的HBM4内存产品，以满足AI算力需求激增的压力。该协议的重要性在于，它确保了英伟达在未来AI计算竞赛中的内存供应稳定性和先进性，同时也巩固了三星在高性能内存市场的关键地位。
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